近期，我院光信息技术团队集成光学课题组在硅基偏振管理光芯片方面取得新进展，相关工作“All-silicon TM polarizer covering the 1260–1675 nm bandwidth using a band engineered subwavelength grating waveguide”发表在《OpticsLetters》(2023, 48, 3431)，硕士生张磊为论文第一作者，吴胜保博士为通讯作者。
随着大数据时代到来，信息系统速率、容量需求急剧增长，数据传输压力已由长距离干线网下沉至芯片内部的超短距离，对光互连芯片及其元器件的工作带宽提出了极大的挑战。在本工作中，作者发现了一种亚波长光栅硅基波导中的强偏振依赖的模式能带调控机制，基于此在220 nm标准绝缘体硅（SOI）晶圆上实现了首个可覆盖国际电信联盟（ITU）规定的全部光通信波段（1260 nm-1675 nm）的横磁模（TM）起偏器芯片，器件尺寸仅为3.0 µm×18 µm。测试结果显示，器件在工作带宽内具有卓越的性能（插入损耗<1.0 dB,偏振消光比>22 dB），可用于SOI光芯片的宽带偏振管理。此外，器件设计原理也为光波导模式特性调控提供了新的思路。
以上工作得到了国家自然科学基金、河北省自然科学基金、河北大学引进人才启动项目等经费的支持。
论文链接：https://doi.org/10.1364/OL.495558
