近日，我院光信息技术创新中心吴胜保博士在微纳起偏器研究方面取得新进展，相关工作“Low loss and high extinction ratio all-silicon TM-pass polarizer with reflection removal enabled by contra-mode conversion Bragg-gratings”发表在《Optics Express》（2021，29，27640）。吴胜保博士为论文第一作者，姚晓天教授为通讯作者，硕士研究生郝金鑫、赵志成作为共同作者参与了部分工作。
基于绝缘体上硅 (SOI) 平台的硅基光子集成技术因其材料折射率对比度高，且与成熟的CMOS工艺兼容，成为实现超高集成密度、低成本和高产量的光子集成电路的最佳解决方案之一。然而，高折射率对比度导致硅基光子器件具有严重的偏振敏感问题。该论文中提出了一种反向模式变换布拉格光栅的构建方法，首次实现了一种低反射布拉格光栅型的全硅片微纳起偏器。该器件在中心波长1550nm具有极低的插入损耗（~0.08dB），较低的反射损耗（-12.6dB），消光比高达51.83dB，30dB带宽为61nm，相比同类型器件，具有结构和加工工艺简单、损耗低、消光比高等优点。该器件用于硅基光子集成芯片可实现低成本片上偏振管理，器件的设计方法可为设计实用型硅基片上起偏器提供理论参考。
上述工作得到国家自然科学基金、河北省自然科学基金、河北省高等学校科学技术项目以及河北大学高层次人才引进项目的资助。
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https://doi.org/10.1364/OE.432807
